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氧化铌靶材根据其镀膜工艺的不同分为平面靶材和旋转靶材两种,所需的氧化铌纯度均要求达到99.95%,但对氧化铌的物理性能指标要求不同。平面靶材的生产使用热压法,要求氧化铌粉末粒度细且均匀,成形性能好;旋转靶材采用热喷涂法生产,要求氧化铌具有良好的流动性及严格的粒度范围。旋转靶材是近些年新发展的一种靶材,与传统的平面靶材相比,旋转靶材相对于平面靶材具有很多的优点： 1、利用率高（70％以上）,甚至可以达到90％; 2、溅射速度快,为平面靶的2-3倍; 3、有效地减少打弧和表面掉渣,工艺稳定性好等优点,因此近年来逐步替代了平面靶材。 针对国内尚未能生产靶材级高纯氧化铌的现状,在现有氧化铌湿法冶金生产工艺的基础上,以高纯铌液为原料,通过喷雾干燥造粒的方法实现对氧化铌产品粒度和粒形的控制,制取满足氧化铌靶材尤其是氧化铌旋转靶材生产要求的球形高纯氧化铌产品。产品纯度为99.95%、粒形为球形、粒度大小范围为50-150μm的高纯氧化铌产品。与国外同行生产厂家以高纯氧化铌产品为原料,需经过球磨、制浆、造粒、焙烧的工艺流程相比,具有工艺流程简单,生产成本低,粒度可控,产品成品率高的特点。产品完全能够满足生产氧化铌旋转靶材的要求。靶材预溅射建议采用纯氩气进行溅射，可以起到清洁靶材表面的作用。上海智能玻璃陶瓷靶材售价
溅射靶材的要求较传统材料行业高，一般要求如，尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸与缺陷控制；较高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成份与组织均匀性、异物（氧化物）含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等。磁控溅射镀膜是一种新型的镀膜方式,就是用电子枪系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。这种被镀的材料就叫溅射靶材。 溅射靶材有金属，合金，陶瓷化合物等。内蒙古显示行业陶瓷靶材陶瓷靶材的制备工艺难点；
制备一种同质双层氧化铪减反膜，属于光学薄膜技术领域。本发明在透明或半透明基底上依次沉积高折射率的致密氧化铪层和低折射率的多孔氧化铪层。两层氧化铪的折射率由电子束蒸镀的入射角度控制，厚度根据基底不同而调节。本发明采用电子束蒸镀方法，并且双层减反膜由同种材料制成，制备成本低、效率高。该双层氧化铪减反膜对于可见光范围内的多角度入射光均具有很好的减反增透能力，可用于降低窗板、触屏电极或液晶显示屏等表面的反射，具有广的应用前景。
陶瓷靶材通常都会绑定背板一起使用。背板除了在溅射过程中可支撑陶瓷靶材，还可以在溅射过程中起到热传递的作用。陶瓷靶材的种类很多，应用范围多，主要用于微电子领域，显示器用，存储等领域。陶瓷靶材作为非金属薄膜产业发展的基础材料，已得到空前的发展。按化学组成，可分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等。其中平面显示ITO陶瓷靶材国内已生产应用。ITO（氧化铟锡）靶材是溅射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一种，在显示靶材中占比将近50%。ITO靶材就是将氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型，再高温气氛烧结（1600度，通氧气烧结）形成的黑灰色陶瓷半导体。靶材开裂影响因素裂纹形成通常发生在陶瓷溅射靶材和脆性材料溅射靶材（如铬、锑、铋等）中。
背板材料：无氧铜(OFC)–目前经常使用的作背板的材料。因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。如果保养适当，无氧铜背板可以重复使用10次甚至更多。钼(Mo)–在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温贴合的条件下，无氧铜容易被氧化和发生翘曲，所以会使用金属钼为背板材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背板材料。不锈钢管(SST)–目前**常使用不锈钢管作为旋转靶材的背管，因为不锈钢管具有良好的强度和导热性而且非常经济。背板重复使用大部分背板可以重复使用，尤其是采用金属铟进行贴合的比较容易进行清洁和重新使用。如果是采用其他贴合剂（包括环氧树脂）则可能需要采用机械处理的方式对背板表面处理后才能重复使用。当我们收到用户提供的已使用过的背板后，我们会首先进行卸靶处理（如适用）并且对背板进行完全检查，检查的重点包括背板的平整度，完整性及密封性等。我们会通知用户对背板的检查结果，如我们发现有需要维修的地方会书面通知客户并提供维修报价。ITO靶材被广泛应用于各大行业之中。陕西溅射陶瓷靶材价钱
ITO靶材被广泛应用于各大行业之中，其主要应用分为：显示行业、薄膜太阳能电池、功能性玻璃，等三大领域。上海智能玻璃陶瓷靶材售价
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料，因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中，用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材，直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比，具有沉积速度快，膜质优良，工艺易控等优点成为目前的主流?但是，此法成膜过程中会经常发生ITO靶材表面黑色化，生成黑色不规则球状节瘤，本文称此现象为靶材毒化，毒化使溅射速率下降，膜质劣化，迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射，严重影响了镀膜效率。上海智能玻璃陶瓷靶材售价
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